酵母菌化學感受態(tài)細胞表達分析
簡要描述：
酵母菌化學感受態(tài)細胞表達分析BY4741菌株是來源于S288C的一組缺失菌株成員之一，這些菌株通過敲除其常用選擇性標記基因來最小化或去除與對應載體上常用的選擇性標記基因的同源性，同時不會顯著影響鄰近基因的表達。
產(chǎn)品時間：2025-10-16
打印當前頁BY4741 Chemically Competent Cell
酵母菌化學感受態(tài)細胞
溫馨提示
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產(chǎn)品信息
產(chǎn)品名稱 | 產(chǎn)品編號 | 規(guī)格 | 價格（元） |
BY4741 Chemically Competent Cell 酵母菌化學感受態(tài)細胞 | MF2366-1000UL | 10×100μl | 350 |
MF2366-5000UL | 50×100μl | 1430 |
產(chǎn)品包裝
組分編號 | 組分名稱 | 保存 | 貨號（規(guī)格） | |
MF2366-1000UL | MF2366-5000UL | |||
MF2366-A | BY4741Chemically Competent Cell | -80℃ | 10×100μl | 50×100μl |
MF2366-B | pYES2 Control Vector (10ng/μl) | -80℃ | 10μl | 10μl |
MF2366-C | Carrier DNA (10μg/μl) | -20℃ | 100μl | 500μl |
MF2366-D | PEG/LiAC Solution | +4℃ | 5ml | 25ml |
保存與運輸方法
保存：其中感受態(tài)細胞按標簽注明置于-80℃保存，三個月有效。其他組分按照標簽注明保存，一年有效。
運輸：干冰運輸。
產(chǎn)品描述
BY4741菌株是來源于S288C的一組缺失菌株成員之一，這些菌株通過敲除其常用選擇性標記基因來最小化或去除與對應載體上常用的選擇性標記基因的同源性，同時不會顯著影響鄰近基因的表達。BY4741是實驗室常用菌株，為配子MATa型，廣泛應用于鈉-鉀離子平衡，細胞抗鹽，各種金屬離子的吸收，重金屬毒性研究，各種糖類、碳源對真核細胞生長的影響，以及過氧化物、超氧化物的吸收和運輸?shù)难芯恐小?/p>
BY4741菌株是組氨suan、亮氨suan、甲硫氨suan和尿mi啶缺陷型菌株，可直接通過PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進入BY4741細胞。質(zhì)粒pYES2的篩選標志為Ura，可用SD-Ura進行篩選。
本品為經(jīng)特殊工藝制備的BY4741酵母菌化學感受態(tài)細胞，用pYES2質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率＞103cfu/μg DNA。且在-80℃能穩(wěn)定保存三個月。
基因型
MATa his3Δ1 leu2 met15Δ ura3-52
注意事項
最好在冰上融化感受態(tài)細胞。
轉(zhuǎn)化高濃度質(zhì)?？上鄳獪p少用于涂板的菌量。同時轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒可適當增加質(zhì)粒的用量。
BY4741對高溫敏感，最適生長溫度為27-30℃，一旦高于31℃，生長速度和轉(zhuǎn)化率都呈指數(shù)下降。
若使用pYES2質(zhì)粒表達蛋白，需在培養(yǎng)基中加入2%半乳糖，以誘導目的基因的表達。注意篩選培養(yǎng)基中不用加半乳糖。當需要目的蛋白表達時，需加入半乳糖代替葡萄糖作為碳源。
酵母菌在缺陷培養(yǎng)基上生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢，營養(yǎng)缺陷成分越多，生長越慢，以轉(zhuǎn)化涂板為例：涂YPDA平板于29℃，48h培養(yǎng)可見直徑1mm克??；涂SD單缺平板于29℃，48-60h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆；涂SD雙缺平板于29℃，60-80h培養(yǎng)可見直徑1mm克?。煌縎D三缺或四缺平板于29℃，80-90h培養(yǎng)可見直徑1mm克??；
酵母感受態(tài)細胞不易長期保存，隨著保存時間的延長轉(zhuǎn)化效率會不斷下降，建議不超過3個月。
為了您的安全和健康，請穿實驗服并戴一次性手套操作。
使用方法
Carrier DNA于使用前通過加熱處理使其變性為單鏈狀態(tài)，方法如下：95-100℃水浴或金屬浴3min，快速插入冰中，靜置3min。重復一次。
取100 µl冰上融化的BY4741化學感受態(tài)細胞，依次加入預冷的目的質(zhì)粒1-3 µg，單鏈Carrier DNA10 µl，PEG/LiAc 500µl，用槍吹打幾次充分混勻，30℃水浴30 min（在15min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻）。
之后將管子放42℃水浴15 min（在7.5min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻）。
5000 rpm離心40s棄上清，用400 µl ddH2O重懸沉淀，離心30s棄上清。
用50 µl ddH2O重懸，涂板，放入29℃培養(yǎng)48-96 h。
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— —Written/Edited by V. Shallan【版權歸MKBio懋康所有】
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